标题： 双面接触式电容压力传感器的工艺流程详解

内容：

工艺流程概述

双面接触式电容压力传感器由3个硅晶片（其中有两个晶片B是一样的）通过硅熔融法进行键合。其制造过程涉及多个关键步骤，包括制备晶片A、键合晶片、刻蚀、封装和金属化处理等。

1. 晶片A制备

晶片A作为传感器的基础，采用N型硅晶体，晶向为<100>晶向，厚度约为(500±10)um,电阻率约为5 ~10Ω·cm²。首先，通过腐蚀工艺在晶片A的两端形成2um的氧化层，接着利用掩膜技术在大沟槽的形状区域进行腐蚀，形成大沟槽（真空腔）形状。

2. 绝缘层淀积

在晶片A的两面淀积150nm厚的SiO₂作为绝缘层，准备与晶片B进行键合。

3. 晶片B制备

晶片B主要用于制作重掺杂的梁。采用P型硅，晶向为<100>晶向，厚度约(400±10)um,电阻率约为2~5Ω·cm²。首先，对晶片B进行硼扩散，以减少梁变形和凹凸不平的情况。接着，进行化学机械抛光，使晶片B表面平滑。

4. 硅熔融键合

在键合前，确保所有晶片清洁无杂质。随后，在室温下将晶片A与晶片B键合在一起，再将其置于1000°C的纯氮环境下进行退火键合。

5. 硅蚀刻

首先，利用离子刻蚀或机械抛光法去除晶片B上的重掺杂层。然后，使用10%的KOH腐蚀晶片B，以获得所需的梁结构。

6. 开引线窗口和排气窗口

在晶片上布置掩膜，利用离子刻蚀法刻出引线窗口和排气窗口。

7. 封装腔

排气窗口刻蚀后，使用LTO封装排气窗口，使腔内的空气压力几乎为零，从而实现绝对压力测量。

8. 刻蚀梁和引线窗口

在BHF溶液中腐蚀出梁和引线窗口，同时腐蚀掉链接层的LTO和SiO₂。

9. 金属化处理

在引线窗口溅射上300nm的AI/Si/Cu金属层，用于引出电容的极板引线。

10. 切割和测试

完成以上所有步骤后，晶体可以被切割并进行性能测试。

图片说明

图片展示了压力传感器的接线方法和工艺流程图，清晰地展示了双面接触式电容压力传感器的关键制造步骤。